IXFX200N10P

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Numéro d'article IXFX200N10P
LIXINC Part # IXFX200N10P
Fabricant Wickmann / Littelfuse
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - fets, mosfets - simples
Description MOSFET N-CH 100V 200A PLUS247-3
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO IXFX200N10P Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Jul 05 - Jul 09 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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IXFX200N10P Caractéristiques

Numéro d'article:IXFX200N10P
Marque:Wickmann / Littelfuse
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:Wickmann / Littelfuse
série:HiPerFET™, PolarP2™
emballer:Tube
état de la pièce:Active
type fet:N-Channel
technologie:MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):100 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:200A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):10V
rds sur (max) @ id, vgs:7.5mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (max) @ id:5V @ 8mA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:235 nC @ 10 V
vg (max):±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:7600 pF @ 25 V
fonction fet:-
puissance dissipée (max):830W (Tc)
température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
paquet de dispositif de fournisseur:PLUS247™-3
paquet / caisse:TO-247-3

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