C3M0280090D | Wolfspeed - a Cree company C3M0280090D | C3M0280090D Inventory, Best Pricing

C3M0280090D

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Numéro d'article	C3M0280090D
LIXINC Part #	C3M0280090D
Fabricant	Wolfspeed - a Cree company
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	SICFET N-CH 900V 11.5A TO247-3
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	C3M0280090D Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 25 - Sep 29 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

C3M0280090D Caractéristiques

Numéro d'article:	C3M0280090D
Marque:	Wolfspeed - a Cree company
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	Wolfspeed - a Cree company
série:	C3M™
emballer:	Tube
état de la pièce:	Active
type fet:	N-Channel
technologie:	SiCFET (Silicon Carbide)
tension drain-source (vdss):	900 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	11.5A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	15V
rds sur (max) @ id, vgs:	360mOhm @ 7.5A, 15V
vgs(th) (max) @ id:	3.5V @ 1.2mA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	9.5 nC @ 15 V
vg (max):	+18V, -8V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	150 pF @ 600 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	54W (Tc)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Through Hole
paquet de dispositif de fournisseur:	TO-247-3
paquet / caisse:	TO-247-3