UF3C065030K3S

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Numéro d'article UF3C065030K3S
LIXINC Part # UF3C065030K3S
Fabricant UnitedSiC
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - fets, mosfets - simples
Description SICFET N-CH 650V 85A TO247-3
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO UF3C065030K3S Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
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UF3C065030K3S Caractéristiques

Numéro d'article:UF3C065030K3S
Marque:UnitedSiC
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:UnitedSiC
série:-
emballer:Tube
état de la pièce:Active
type fet:N-Channel
technologie:SiCFET (Cascode SiCJFET)
tension drain-source (vdss):650 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:85A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):12V
rds sur (max) @ id, vgs:35mOhm @ 50A, 12V
vgs(th) (max) @ id:6V @ 10mA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:51 nC @ 15 V
vg (max):±25V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:1500 pF @ 100 V
fonction fet:-
puissance dissipée (max):441W (Tc)
température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
paquet de dispositif de fournisseur:TO-247-3
paquet / caisse:TO-247-3

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