STB28NM60ND | STMicroelectronics STB28NM60ND | STB28NM60ND Inventory, Best Pricing

STB28NM60ND

Agrandir

Pour référence seulement

Numéro d'article	STB28NM60ND
LIXINC Part #	STB28NM60ND
Fabricant	STMicroelectronics
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET N-CH 600V 23A D2PAK
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	STB28NM60ND Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 26 - Sep 30 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

STB28NM60ND Caractéristiques

Numéro d'article:	STB28NM60ND
Marque:	STMicroelectronics
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	STMicroelectronics
série:	FDmesh™ II
emballer:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Not For New Designs
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	600 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	23A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	10V
rds sur (max) @ id, vgs:	150mOhm @ 11.5A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	5V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	62.5 nC @ 10 V
vg (max):	±25V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	2090 pF @ 100 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	190W (Tc)
température de fonctionnement:	150°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:	D2PAK
paquet / caisse:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB