R6020ENZ1C9

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Numéro d'article R6020ENZ1C9
LIXINC Part # R6020ENZ1C9
Fabricant ROHM Semiconductor
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - fets, mosfets - simples
Description MOSFET N-CH 600V 20A TO247
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO R6020ENZ1C9 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Sep 26 - Sep 30 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

R6020ENZ1C9 Caractéristiques

Numéro d'article:R6020ENZ1C9
Marque:ROHM Semiconductor
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:ROHM Semiconductor
série:-
emballer:Tube
état de la pièce:Obsolete
type fet:N-Channel
technologie:MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):600 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:20A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):10V
rds sur (max) @ id, vgs:196mOhm @ 9.5A, 10V
vgs(th) (max) @ id:4V @ 1mA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:60 nC @ 10 V
vg (max):±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:1400 pF @ 25 V
fonction fet:-
puissance dissipée (max):120W (Tc)
température de fonctionnement:150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
paquet de dispositif de fournisseur:TO-247
paquet / caisse:TO-247-3

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