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Numéro d'article | IRF60DM206 |
LIXINC Part # | IRF60DM206 |
Fabricant | IR (Infineon Technologies) |
Catégorie | semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples |
Description | MOSFET N-CH 60V 130A DIRECTFET |
Cycle de vie | Actif |
RoHS | Aucune information RoHS |
Modèles EDA/CAO | IRF60DM206 Empreinte et symbole PCB |
Entrepôts | États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong |
Délai de livraison estimé | Sep 26 - Sep 30 2024(Choisissez l'expédition accélérée) |
garantie | Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]* |
Paiement | |
Expédition |
Numéro d'article: | IRF60DM206 |
Marque: | IR (Infineon Technologies) |
Cycle de vie: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Catégorie: | semi-conducteur discret |
Sous-catégorie: | transistors - fets, mosfets - simples |
Fabricant: | IR (Infineon Technologies) |
série: | StrongIRFET™ |
emballer: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
état de la pièce: | Active |
type fet: | N-Channel |
technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
tension drain-source (vdss): | 60 V |
courant - drain continu (id) @ 25°c: | 130A (Tc) |
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé): | 6V, 10V |
rds sur (max) @ id, vgs: | 2.9mOhm @ 80A, 10V |
vgs(th) (max) @ id: | 3.7V @ 150µA |
charge de grille (qg) (max) @ vgs: | 200 nC @ 10 V |
vg (max): | ±20V |
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds: | 6530 pF @ 25 V |
fonction fet: | - |
puissance dissipée (max): | 96W (Tc) |
température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage: | Surface Mount |
paquet de dispositif de fournisseur: | DirectFET™ Isometric ME |
paquet / caisse: | DirectFET™ Isometric ME |
SPD03N60C3ATMA1 | MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3 | 903 Plus sur la commande |
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IPP50R399CPXKSA1 | COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET | 812 Plus sur la commande |
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FJ3P02100L | MOSFET P-CH 20V 4.4A 3PMCP | 7423 Plus sur la commande |
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APT30M85BVRG | MOSFET N-CH 300V 40A TO247 | 908 Plus sur la commande |
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NTMFS5H615NLT1G | MOSFET N-CH 60V 28A/185A 5DFN | 873 Plus sur la commande |
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MTB10N40E | N-CHANNEL POWER MOSFET | 79405 Plus sur la commande |
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RQ3E180BNTB | MOSFET N-CHANNEL 30V 39A 8HSMT | 1216 Plus sur la commande |
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IPW60R037CSFDXKSA1 | MOSFET N CH | 1164 Plus sur la commande |
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STD65N55F3 | MOSFET N-CH 55V 80A DPAK | 837 Plus sur la commande |
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SIHG24N65E-E3 | MOSFET N-CH 650V 24A TO247AC | 982 Plus sur la commande |
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IRLIZ44GPBF | MOSFET N-CH 60V 30A TO220-3 | 1545 Plus sur la commande |
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IPW60R330P6FKSA1 | MOSFET N-CH 600V 12A TO247-3 | 29710 Plus sur la commande |
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NDPL180N10BG | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR | 1358 Plus sur la commande |
En stock | 14597 - Plus sur la commande |
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Limite de devis | Sans limites |
Délai de mise en œuvre | Être confirmé |
Le minimum | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $3.08000 | $3.08 |
4800 | $1.35760 | $6516.48 |
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