IPW60R037CSFDXKSA1

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Numéro d'article IPW60R037CSFDXKSA1
LIXINC Part # IPW60R037CSFDXKSA1
Fabricant IR (Infineon Technologies)
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - fets, mosfets - simples
Description MOSFET N CH
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO IPW60R037CSFDXKSA1 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Sep 26 - Sep 30 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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IPW60R037CSFDXKSA1 Caractéristiques

Numéro d'article:IPW60R037CSFDXKSA1
Marque:IR (Infineon Technologies)
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:IR (Infineon Technologies)
série:CoolMOS™
emballer:Tube
état de la pièce:Active
type fet:N-Channel
technologie:MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):-
courant - drain continu (id) @ 25°c:52A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):-
rds sur (max) @ id, vgs:-
vgs(th) (max) @ id:-
charge de grille (qg) (max) @ vgs:-
vg (max):-
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:-
fonction fet:-
puissance dissipée (max):-
température de fonctionnement:-
Type de montage:-
paquet de dispositif de fournisseur:-
paquet / caisse:-

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