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RV2C010UNT2L

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Numéro d'article	RV2C010UNT2L
LIXINC Part #	RV2C010UNT2L
Fabricant	ROHM Semiconductor
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET N-CH 20V 1A DFN1006-3
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	RV2C010UNT2L Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 27 - Oct 01 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

RV2C010UNT2L Caractéristiques

Numéro d'article:	RV2C010UNT2L
Marque:	ROHM Semiconductor
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	ROHM Semiconductor
série:	-
emballer:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Active
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	20 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	1A (Ta)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	1.2V, 4.5V
rds sur (max) @ id, vgs:	470mOhm @ 500mA, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	1V @ 1mA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	-
vg (max):	±8V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	40 pF @ 10 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	400mW (Ta)
température de fonctionnement:	150°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:	DFN1006-3 (VML1006)
paquet / caisse:	SC-101, SOT-883