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Numéro d'article | SPD06N60C3ATMA1 |
LIXINC Part # | SPD06N60C3ATMA1 |
Fabricant | Rochester Electronics |
Catégorie | semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples |
Description | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6 |
Cycle de vie | Actif |
RoHS | Aucune information RoHS |
Modèles EDA/CAO | SPD06N60C3ATMA1 Empreinte et symbole PCB |
Entrepôts | États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong |
Délai de livraison estimé | Sep 22 - Sep 26 2024(Choisissez l'expédition accélérée) |
garantie | Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]* |
Paiement | |
Expédition |
Numéro d'article: | SPD06N60C3ATMA1 |
Marque: | Rochester Electronics |
Cycle de vie: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Catégorie: | semi-conducteur discret |
Sous-catégorie: | transistors - fets, mosfets - simples |
Fabricant: | Rochester Electronics |
série: | CoolMOS™ |
emballer: | Bulk |
état de la pièce: | Active |
type fet: | N-Channel |
technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
tension drain-source (vdss): | 600 V |
courant - drain continu (id) @ 25°c: | 6.2A (Tc) |
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé): | 10V |
rds sur (max) @ id, vgs: | 750mOhm @ 3.9A, 10V |
vgs(th) (max) @ id: | 3.9V @ 260µA |
charge de grille (qg) (max) @ vgs: | 31 nC @ 10 V |
vg (max): | ±20V |
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds: | 620 pF @ 25 V |
fonction fet: | - |
puissance dissipée (max): | 74W (Tc) |
température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage: | Surface Mount |
paquet de dispositif de fournisseur: | PG-TO252-3-1 |
paquet / caisse: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
IPD053N08N3GATMA1 | MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3 | 6102 Plus sur la commande |
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FDS6572A | MOSFET N-CH 20V 16A 8SOIC | 375335 Plus sur la commande |
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FCP125N65S3 | MOSFET N-CH 650V 24A TO220-3 | 939 Plus sur la commande |
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AON7428 | MOSFET N-CH 30V 34A/50A 8DFN | 821 Plus sur la commande |
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FDB070AN06A0 | MOSFET N-CH 60V 15A/80A D2PAK | 1329 Plus sur la commande |
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FQP5N40 | MOSFET N-CH 400V 4.5A TO220-3 | 846 Plus sur la commande |
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2SK3486-TD-E | N-CHANNEL SILICON MOSFET | 124924 Plus sur la commande |
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IPP60R280C6XKSA1 | MOSFET N-CH 600V 13.8A TO220-3 | 1437 Plus sur la commande |
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NTD4855N-1G | MOSFET N-CH 25V 14A/98A IPAK | 11371 Plus sur la commande |
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IXTR200N10P | MOSFET N-CH 100V 120A ISOPLUS247 | 4074 Plus sur la commande |
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APT6025BFLLG | MOSFET N-CH 600V 24A TO247 | 945 Plus sur la commande |
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TK100E08N1,S1X | MOSFET N-CH 80V 100A TO220 | 804 Plus sur la commande |
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FDB8896-F085 | 19A, 30V, 0.0068OHM, N-CHANNEL, | 22577 Plus sur la commande |
En stock | 10826 - Plus sur la commande |
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Limite de devis | Sans limites |
Délai de mise en œuvre | Être confirmé |
Le minimum | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.78000 | $0.78 |
2500 | $0.78000 | $1950 |
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