HUFA75639S3ST-F085A | Rochester Electronics HUFA75639S3ST-F085A | HUFA75639S3ST-F085A Inventory, Best Pricing

HUFA75639S3ST-F085A

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Numéro d'article	HUFA75639S3ST-F085A
LIXINC Part #	HUFA75639S3ST-F085A
Fabricant	Rochester Electronics
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	HUFA75639S3ST-F085A Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Jul 01 - Jul 05 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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Expédition

HUFA75639S3ST-F085A Caractéristiques

Numéro d'article:	HUFA75639S3ST-F085A
Marque:	Rochester Electronics
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	Rochester Electronics
série:	UltraFET™
emballer:	Bulk
état de la pièce:	Active
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	100 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	56A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	-
rds sur (max) @ id, vgs:	25mOhm @ 56A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	130 nC @ 20 V
vg (max):	±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	2000 pF @ 25 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	200W (Tc)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:	D2PAK (TO-263)
paquet / caisse:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB