CSD13201W10 | Texas Instruments CSD13201W10 | CSD13201W10 Inventory, Best Pricing

CSD13201W10

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Numéro d'article	CSD13201W10
LIXINC Part #	CSD13201W10
Fabricant	Texas Instruments
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	CSD13201W10 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Jul 03 - Jul 07 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

CSD13201W10 Caractéristiques

Numéro d'article:	CSD13201W10
Marque:	Texas Instruments
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	Texas Instruments
série:	NexFET™
emballer:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Active
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	12 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	1.6A (Ta)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	1.8V, 4.5V
rds sur (max) @ id, vgs:	34mOhm @ 1A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	1.1V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	2.9 nC @ 4.5 V
vg (max):	±8V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	462 pF @ 6 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	1.2W (Ta)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:	4-DSBGA (1x1)
paquet / caisse:	4-UFBGA, DSBGA