VP2106N3-G

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Numéro d'article VP2106N3-G
LIXINC Part # VP2106N3-G
Fabricant Roving Networks / Microchip Technology
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - fets, mosfets - simples
Description MOSFET P-CH 60V 250MA TO92-3
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO VP2106N3-G Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Jul 08 - Jul 12 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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VP2106N3-G Caractéristiques

Numéro d'article:VP2106N3-G
Marque:Roving Networks / Microchip Technology
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:Roving Networks / Microchip Technology
série:-
emballer:Bulk
état de la pièce:Active
type fet:P-Channel
technologie:MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):60 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:250mA (Tj)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):5V, 10V
rds sur (max) @ id, vgs:12Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max) @ id:3.5V @ 1mA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:-
vg (max):±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:60 pF @ 25 V
fonction fet:-
puissance dissipée (max):1W (Tc)
température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
paquet de dispositif de fournisseur:TO-92-3
paquet / caisse:TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

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