DMN2005UFG-7

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Numéro d'article DMN2005UFG-7
LIXINC Part # DMN2005UFG-7
Fabricant Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - fets, mosfets - simples
Description MOSFET N-CH 20V 18.1A PWRDI3333
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO DMN2005UFG-7 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Jul 03 - Jul 07 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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DMN2005UFG-7 Caractéristiques

Numéro d'article:DMN2005UFG-7
Marque:Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
série:-
emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:Active
type fet:N-Channel
technologie:MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):20 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:18.1A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):2.5V, 4.5V
rds sur (max) @ id, vgs:4.6mOhm @ 13.5A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:1.2V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:164 nC @ 10 V
vg (max):±12V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:6495 pF @ 10 V
fonction fet:-
puissance dissipée (max):1.05W (Ta)
température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:PowerDI3333-8
paquet / caisse:8-PowerVDFN

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