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IRF3709PBF

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Numéro d'article	IRF3709PBF
LIXINC Part #	IRF3709PBF
Fabricant	Rochester Electronics
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	IRF3709 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	IRF3709PBF Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Aug 13 - Aug 17 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

IRF3709PBF Caractéristiques

Numéro d'article:	IRF3709PBF
Marque:	Rochester Electronics
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	Rochester Electronics
série:	HEXFET®
emballer:	Bulk
état de la pièce:	Active
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	30 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	90A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	4.5V, 10V
rds sur (max) @ id, vgs:	9mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	41 nC @ 5 V
vg (max):	±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	2.672 pF @ 16 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	3.1W (Ta), 120W (Tc)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Through Hole
paquet de dispositif de fournisseur:	TO-220AB
paquet / caisse:	TO-220-3