IPD079N06L3GBTMA1 | IR (Infineon Technologies) IPD079N06L3GBTMA1 | IPD079N06L3GBTMA1 Inventory, Best Pricing

IPD079N06L3GBTMA1

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Numéro d'article	IPD079N06L3GBTMA1
LIXINC Part #	IPD079N06L3GBTMA1
Fabricant	IR (Infineon Technologies)
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	IPD079N06L3GBTMA1 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 25 - Sep 29 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

IPD079N06L3GBTMA1 Caractéristiques

Numéro d'article:	IPD079N06L3GBTMA1
Marque:	IR (Infineon Technologies)
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	IR (Infineon Technologies)
série:	OptiMOS™
emballer:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Active
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	60 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	50A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	4.5V, 10V
rds sur (max) @ id, vgs:	7.9mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.2V @ 34µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	29 nC @ 4.5 V
vg (max):	±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	4900 pF @ 30 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	79W (Tc)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:	PG-TO252-3
paquet / caisse:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

MCPF05N80-BP	MOSFET N-CH 800V 5A TO220F	1251 Plus sur la commande
TJ10S04M3L(T6L1,NQ	MOSFET P-CH 40V 10A DPAK	943 Plus sur la commande
IPD65R600C6BTMA1	COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET	3832 Plus sur la commande
IRFB11N50APBF-BE3	MOSFET N-CH 500V 11A TO220AB	1835 Plus sur la commande
IRF7490TRPBF	MOSFET N-CH 100V 5.4A 8SO	1275 Plus sur la commande
FDMS8050	MOSFET N-CHANNEL 30V 55A 8PQFN	269296896 Plus sur la commande
SCT3160KW7TL	TRANS SJT N-CH 1200V 17A TO263-7	1948 Plus sur la commande
SPP80N06S-08	N-CHANNEL POWER MOSFET	2894 Plus sur la commande
BSC120N03LSG	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1	3043 Plus sur la commande
FDMC5614P	MOSFET P-CH 60V 5.7A/13.5A 8MLP	901 Plus sur la commande
AUIRFS8408-7TRL	MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK	1021 Plus sur la commande
VN0606L-G	MOSFET N-CH 60V 330MA TO92-3	1724 Plus sur la commande
NP36N055HLE-AY	N-CHANNEL POWER MOSFET	1929 Plus sur la commande