TJ10S04M3L(T6L1,NQ

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Numéro d'article TJ10S04M3L(T6L1,NQ
LIXINC Part # TJ10S04M3L(T6L1,NQ
Fabricant Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - fets, mosfets - simples
Description MOSFET P-CH 40V 10A DPAK
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO TJ10S04M3L(T6L1,NQ Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Sep 25 - Sep 29 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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TJ10S04M3L(T6L1,NQ Caractéristiques

Numéro d'article:TJ10S04M3L(T6L1,NQ
Marque:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
série:U-MOSVI
emballer:Tape & Reel (TR)
état de la pièce:Active
type fet:P-Channel
technologie:MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):40 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:10A (Ta)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):6V, 10V
rds sur (max) @ id, vgs:44mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (max) @ id:3V @ 1mA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:19 nC @ 10 V
vg (max):+10V, -20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:930 pF @ 10 V
fonction fet:-
puissance dissipée (max):27W (Tc)
température de fonctionnement:175°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:DPAK+
paquet / caisse:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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