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Numéro d'article | IPD60R180P7ATMA1 |
LIXINC Part # | IPD60R180P7ATMA1 |
Fabricant | IR (Infineon Technologies) |
Catégorie | semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples |
Description | MOSFET N-CH 650V 18A TO252-3 |
Cycle de vie | Actif |
RoHS | Aucune information RoHS |
Modèles EDA/CAO | IPD60R180P7ATMA1 Empreinte et symbole PCB |
Entrepôts | États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong |
Délai de livraison estimé | Sep 25 - Sep 29 2024(Choisissez l'expédition accélérée) |
garantie | Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]* |
Paiement | |
Expédition |
Numéro d'article: | IPD60R180P7ATMA1 |
Marque: | IR (Infineon Technologies) |
Cycle de vie: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Catégorie: | semi-conducteur discret |
Sous-catégorie: | transistors - fets, mosfets - simples |
Fabricant: | IR (Infineon Technologies) |
série: | CoolMOS™ P7 |
emballer: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
état de la pièce: | Active |
type fet: | N-Channel |
technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
tension drain-source (vdss): | 650 V |
courant - drain continu (id) @ 25°c: | 18A (Tc) |
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé): | 10V |
rds sur (max) @ id, vgs: | 180mOhm @ 5.6A, 10V |
vgs(th) (max) @ id: | 4V @ 280µA |
charge de grille (qg) (max) @ vgs: | 25 nC @ 10 V |
vg (max): | ±20V |
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds: | 1081 pF @ 400 V |
fonction fet: | - |
puissance dissipée (max): | 72W (Tc) |
température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage: | Surface Mount |
paquet de dispositif de fournisseur: | PG-TO252-3 |
paquet / caisse: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
AOWF15S60 | MOSFET N-CH 600V 15A TO262F | 984 Plus sur la commande |
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FQP9N15 | MOSFET N-CH 150V 9A TO220-3 | 3407 Plus sur la commande |
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MMBF170LT3G | MOSFET N-CH 60V 500MA SOT23-3 | 116202 Plus sur la commande |
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SSM3J338R,LF | MOSFET P-CH 12V 6A SOT23F | 997 Plus sur la commande |
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MTP4N40E | N-CHANNEL POWER MOSFET | 4622 Plus sur la commande |
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STP150N10F7 | MOSFET N-CH 100V 110A TO220 | 1363 Plus sur la commande |
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PMV16XNR | MOSFET N-CH 20V 6.8A TO236AB | 1000 Plus sur la commande |
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RUR040N02HZGTL | MOSFET N-CH 20V 4A TSMT3 | 3507 Plus sur la commande |
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DMN2990UFZ-7B | MOSFET N-CH 20V 250MA 3DFN | 806700863 Plus sur la commande |
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FDS6685 | MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC | 26958 Plus sur la commande |
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SQJ211ELP-T1_GE3 | MOSFET P-CH 100V 33.6A PPAK SO-8 | 989 Plus sur la commande |
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SUD80460E-GE3 | MOSFET N-CH 150V 42A TO252AA | 4227 Plus sur la commande |
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C3M0065100J | SICFET N-CH 1000V 35A D2PAK-7 | 932 Plus sur la commande |
En stock | 10824 - Plus sur la commande |
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Limite de devis | Sans limites |
Délai de mise en œuvre | Être confirmé |
Le minimum | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $2.27000 | $2.27 |
2500 | $1.41367 | $3534.175 |
5000 | $1.36725 | $6836.25 |
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