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RUR040N02HZGTL

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Numéro d'article	RUR040N02HZGTL
LIXINC Part #	RUR040N02HZGTL
Fabricant	ROHM Semiconductor
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET N-CH 20V 4A TSMT3
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	RUR040N02HZGTL Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 25 - Sep 29 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

RUR040N02HZGTL Caractéristiques

Numéro d'article:	RUR040N02HZGTL
Marque:	ROHM Semiconductor
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	ROHM Semiconductor
série:	Automotive, AEC-Q101
emballer:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Active
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	20 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	4A (Ta)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	1.5V, 4.5V
rds sur (max) @ id, vgs:	35mOhm @ 4A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	1.3V @ 1mA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	8 nC @ 4.5 V
vg (max):	±10V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	680 pF @ 10 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	700mW (Ta)
température de fonctionnement:	150°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:	TSMT3
paquet / caisse:	SC-96