AUIRLU3114Z

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Numéro d'article AUIRLU3114Z
LIXINC Part # AUIRLU3114Z
Fabricant IR (Infineon Technologies)
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - fets, mosfets - simples
Description MOSFET N-CH 40V 130A TO251-3
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO AUIRLU3114Z Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Sep 25 - Sep 29 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

AUIRLU3114Z Caractéristiques

Numéro d'article:AUIRLU3114Z
Marque:IR (Infineon Technologies)
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:IR (Infineon Technologies)
série:Automotive, AEC-Q101, HEXFET®
emballer:Tube
état de la pièce:Last Time Buy
type fet:N-Channel
technologie:MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):40 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:130A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):4.5V, 10V
rds sur (max) @ id, vgs:4.9mOhm @ 42A, 10V
vgs(th) (max) @ id:2.5V @ 100µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:56 nC @ 4.5 V
vg (max):±16V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:3810 pF @ 25 V
fonction fet:-
puissance dissipée (max):140W (Tc)
température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
paquet de dispositif de fournisseur:PG-TO251-3
paquet / caisse:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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