DMN2600UFB-7 | Zetex Semiconductors (Diodes Inc.) DMN2600UFB-7

DMN2600UFB-7

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Numéro d'article	DMN2600UFB-7
LIXINC Part #	DMN2600UFB-7
Fabricant	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET N-CH 25V 1.3A 3DFN
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	DMN2600UFB-7 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 25 - Sep 29 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

DMN2600UFB-7 Caractéristiques

Numéro d'article:	DMN2600UFB-7
Marque:	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
série:	-
emballer:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Active
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	25 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	1.3A (Ta)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	1.8V, 4.5V
rds sur (max) @ id, vgs:	350mOhm @ 200mA, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	1V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	0.85 nC @ 4.5 V
vg (max):	±8V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	70.13 pF @ 15 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	540mW (Ta)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:	3-X1DFN1006
paquet / caisse:	3-UFDFN