TSM60NB1R4CH C5G

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Numéro d'article TSM60NB1R4CH C5G
LIXINC Part # TSM60NB1R4CH C5G
Fabricant TSC (Taiwan Semiconductor)
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - fets, mosfets - simples
Description MOSFET N-CHANNEL 600V 3A TO251
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO TSM60NB1R4CH C5G Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
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TSM60NB1R4CH C5G Caractéristiques

Numéro d'article:TSM60NB1R4CH C5G
Marque:TSC (Taiwan Semiconductor)
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:TSC (Taiwan Semiconductor)
série:-
emballer:Tube
état de la pièce:Active
type fet:N-Channel
technologie:MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):600 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:3A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):10V
rds sur (max) @ id, vgs:1.4Ohm @ 900mA, 10V
vgs(th) (max) @ id:4V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:7.12 nC @ 10 V
vg (max):±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:257.3 pF @ 100 V
fonction fet:-
puissance dissipée (max):28.4W (Tc)
température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
paquet de dispositif de fournisseur:TO-251 (IPAK)
paquet / caisse:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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