NVF6P02T3G

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Numéro d'article NVF6P02T3G
LIXINC Part # NVF6P02T3G
Fabricant Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - fets, mosfets - simples
Description MOSFET P-CH 20V 10A SOT-223
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO NVF6P02T3G Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Sep 25 - Sep 29 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

NVF6P02T3G Caractéristiques

Numéro d'article:NVF6P02T3G
Marque:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
série:Automotive, AEC-Q101
emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:Not For New Designs
type fet:P-Channel
technologie:MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):20 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:10A (Ta)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):2.5V, 4.5V
rds sur (max) @ id, vgs:50mOhm @ 6A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:1V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:20 nC @ 4.5 V
vg (max):±8V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:1200 pF @ 16 V
fonction fet:-
puissance dissipée (max):8.3W (Ta)
température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:SOT-223 (TO-261)
paquet / caisse:TO-261-4, TO-261AA

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