BTS282ZE3230AKSA2

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Numéro d'article BTS282ZE3230AKSA2
LIXINC Part # BTS282ZE3230AKSA2
Fabricant Rochester Electronics
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - fets, mosfets - simples
Description BTS282 - TEMPFET, AUTOMOTIVE LOW
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO BTS282ZE3230AKSA2 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
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BTS282ZE3230AKSA2 Caractéristiques

Numéro d'article:BTS282ZE3230AKSA2
Marque:Rochester Electronics
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:Rochester Electronics
série:TEMPFET®
emballer:Bulk
état de la pièce:Active
type fet:N-Channel
technologie:MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):49 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:80A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):4.5V, 10V
rds sur (max) @ id, vgs:6.5mOhm @ 36A, 10V
vgs(th) (max) @ id:2V @ 240µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:232 nC @ 10 V
vg (max):±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:4.8 pF @ 25 V
fonction fet:Temperature Sensing Diode
puissance dissipée (max):300W (Tc)
température de fonctionnement:-40°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
paquet de dispositif de fournisseur:PG-TO220-7-12
paquet / caisse:TO-220-7

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