NDD03N60Z-1G | Rochester Electronics NDD03N60Z-1G | NDD03N60Z-1G Inventory, Best Pricing

NDD03N60Z-1G

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Numéro d'article	NDD03N60Z-1G
LIXINC Part #	NDD03N60Z-1G
Fabricant	Rochester Electronics
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET N-CH 600V 2.6A IPAK
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	NDD03N60Z-1G Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 27 - Oct 01 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

NDD03N60Z-1G Caractéristiques

Numéro d'article:	NDD03N60Z-1G
Marque:	Rochester Electronics
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	Rochester Electronics
série:	-
emballer:	Tube
état de la pièce:	Obsolete
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	600 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	2.6A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	10V
rds sur (max) @ id, vgs:	3.6Ohm @ 1.2A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4.5V @ 50µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	12 nC @ 10 V
vg (max):	±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	312 pF @ 25 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	61W (Tc)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Through Hole
paquet de dispositif de fournisseur:	I-PAK
paquet / caisse:	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA