IMW65R027M1HXKSA1 | IR (Infineon Technologies) IMW65R027M1HXKSA1 | IMW65R027M1HXKSA1 Inventory, Best Pricing

IMW65R027M1HXKSA1

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Numéro d'article	IMW65R027M1HXKSA1
LIXINC Part #	IMW65R027M1HXKSA1
Fabricant	IR (Infineon Technologies)
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	IMW65R027M1HXKSA1 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 28 - Oct 02 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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Expédition

IMW65R027M1HXKSA1 Caractéristiques

Numéro d'article:	IMW65R027M1HXKSA1
Marque:	IR (Infineon Technologies)
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	IR (Infineon Technologies)
série:	-
emballer:	Tube
état de la pièce:	Active
type fet:	-
technologie:	-
tension drain-source (vdss):	-
courant - drain continu (id) @ 25°c:	47A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	-
rds sur (max) @ id, vgs:	-
vgs(th) (max) @ id:	-
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	-
vg (max):	-
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	-
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	-
température de fonctionnement:	-
Type de montage:	-
paquet de dispositif de fournisseur:	-
paquet / caisse:	-