FDZ299P

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Numéro d'article FDZ299P
LIXINC Part # FDZ299P
Fabricant Rochester Electronics
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - fets, mosfets - simples
Description MOSFET P-CH 20V 4.6A 9BGA
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO FDZ299P Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Sep 28 - Oct 02 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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FDZ299P Caractéristiques

Numéro d'article:FDZ299P
Marque:Rochester Electronics
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:Rochester Electronics
série:PowerTrench®
emballer:Bulk
état de la pièce:Obsolete
type fet:P-Channel
technologie:MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):20 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:4.6A (Ta)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):2.5V, 4.5V
rds sur (max) @ id, vgs:55mOhm @ 4.6A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:1.5V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:9 nC @ 4.5 V
vg (max):±12V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:742 pF @ 10 V
fonction fet:-
puissance dissipée (max):1.7W (Ta)
température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:9-BGA (2x2.1)
paquet / caisse:9-WFBGA

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