FQN1N50CTA | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FQN1N50CTA

FQN1N50CTA

Agrandir

Pour référence seulement

Numéro d'article	FQN1N50CTA
LIXINC Part #	FQN1N50CTA
Fabricant	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET N-CH 500V 380MA TO92-3
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	FQN1N50CTA Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 21 - Oct 25 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

FQN1N50CTA Caractéristiques

Numéro d'article:	FQN1N50CTA
Marque:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
série:	QFET®
emballer:	Cut Tape (CT)Tape & Box (TB)
état de la pièce:	Active
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	500 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	380mA (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	10V
rds sur (max) @ id, vgs:	6Ohm @ 190mA, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	6.4 nC @ 10 V
vg (max):	±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	195 pF @ 25 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	890mW (Ta), 2.08W (Tc)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Through Hole
paquet de dispositif de fournisseur:	TO-92-3
paquet / caisse:	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)