IXFN66N85X | Wickmann / Littelfuse IXFN66N85X | IXFN66N85X Inventory, Best Pricing

IXFN66N85X

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Numéro d'article	IXFN66N85X
LIXINC Part #	IXFN66N85X
Fabricant	Wickmann / Littelfuse
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET N-CH 850V 65A SOT227B
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	IXFN66N85X Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 22 - Oct 26 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

IXFN66N85X Caractéristiques

Numéro d'article:	IXFN66N85X
Marque:	Wickmann / Littelfuse
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	Wickmann / Littelfuse
série:	HiPerFET™
emballer:	Tube
état de la pièce:	Active
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	850 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	65A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	10V
rds sur (max) @ id, vgs:	65mOhm @ 33A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	5.5V @ 8mA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	230 nC @ 10 V
vg (max):	±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	8900 pF @ 25 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	830W (Tc)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Chassis Mount
paquet de dispositif de fournisseur:	SOT-227B
paquet / caisse:	SOT-227-4, miniBLOC