TK11A65W,S5X

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Numéro d'article TK11A65W,S5X
LIXINC Part # TK11A65W,S5X
Fabricant Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - fets, mosfets - simples
Description MOSFET N-CH 650V 11.1A TO220SIS
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO TK11A65W,S5X Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 08 - Oct 12 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
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TK11A65W,S5X Caractéristiques

Numéro d'article:TK11A65W,S5X
Marque:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
série:DTMOSIV
emballer:Tube
état de la pièce:Active
type fet:N-Channel
technologie:MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):650 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:11.1A (Ta)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):10V
rds sur (max) @ id, vgs:390mOhm @ 5.5A, 10V
vgs(th) (max) @ id:3.5V @ 450µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:25 nC @ 10 V
vg (max):±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:890 pF @ 300 V
fonction fet:-
puissance dissipée (max):35W (Tc)
température de fonctionnement:150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
paquet de dispositif de fournisseur:TO-220SIS
paquet / caisse:TO-220-3 Full Pack

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