NVMFS6H818NWFT1G

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Numéro d'article NVMFS6H818NWFT1G
LIXINC Part # NVMFS6H818NWFT1G
Fabricant Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - fets, mosfets - simples
Description MOSFET N-CH 80V 20A/123A 5DFN
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO NVMFS6H818NWFT1G Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 10 - Oct 14 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

NVMFS6H818NWFT1G Caractéristiques

Numéro d'article:NVMFS6H818NWFT1G
Marque:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
série:Automotive, AEC-Q101
emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:Active
type fet:N-Channel
technologie:MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):80 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:20A (Ta), 123A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):10V
rds sur (max) @ id, vgs:3.7mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ id:4V @ 190µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:46 nC @ 10 V
vg (max):±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:3100 pF @ 40 V
fonction fet:-
puissance dissipée (max):3.8W (Ta), 136W (Tc)
température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:5-DFN (5x6) (8-SOFL)
paquet / caisse:8-PowerTDFN, 5 Leads

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