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TP65H050WS

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Numéro d'article	TP65H050WS
LIXINC Part #	TP65H050WS
Fabricant	Transphorm
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	GANFET N-CH 650V 34A TO247-3
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	TP65H050WS Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 10 - Oct 14 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

TP65H050WS Caractéristiques

Numéro d'article:	TP65H050WS
Marque:	Transphorm
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	Transphorm
série:	-
emballer:	Tube
état de la pièce:	Active
type fet:	N-Channel
technologie:	GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
tension drain-source (vdss):	650 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	34A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	12V
rds sur (max) @ id, vgs:	60mOhm @ 22A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4.8V @ 700µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	24 nC @ 10 V
vg (max):	±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	1000 pF @ 400 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	119W (Tc)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Through Hole
paquet de dispositif de fournisseur:	TO-247-3
paquet / caisse:	TO-247-3