RSM002N06T2L | ROHM Semiconductor RSM002N06T2L | RSM002N06T2L Inventory, Best Pricing

RSM002N06T2L

Agrandir

Pour référence seulement

Numéro d'article	RSM002N06T2L
LIXINC Part #	RSM002N06T2L
Fabricant	ROHM Semiconductor
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET N-CH 60V 250MA VMT3
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	RSM002N06T2L Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 10 - Oct 14 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

RSM002N06T2L Caractéristiques

Numéro d'article:	RSM002N06T2L
Marque:	ROHM Semiconductor
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	ROHM Semiconductor
série:	-
emballer:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Active
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	60 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	250mA (Ta)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	2.5V, 10V
rds sur (max) @ id, vgs:	2.4Ohm @ 250mA, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.3V @ 1mA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	-
vg (max):	±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	15 pF @ 25 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	150mW (Ta)
température de fonctionnement:	150°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:	VMT3
paquet / caisse:	SOT-723