RJK0305DPB-02#J0

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Numéro d'article RJK0305DPB-02#J0
LIXINC Part # RJK0305DPB-02#J0
Fabricant Renesas Electronics America
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - fets, mosfets - simples
Description MOSFET N-CH 30V 30A LFPAK
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO RJK0305DPB-02#J0 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Jul 05 - Jul 09 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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RJK0305DPB-02#J0 Caractéristiques

Numéro d'article:RJK0305DPB-02#J0
Marque:Renesas Electronics America
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:Renesas Electronics America
série:-
emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:Active
type fet:N-Channel
technologie:MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):30 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:30A (Ta)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):4.5V, 10V
rds sur (max) @ id, vgs:8mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max) @ id:-
charge de grille (qg) (max) @ vgs:8 nC @ 4.5 V
vg (max):+16V, -12V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:1250 pF @ 10 V
fonction fet:-
puissance dissipée (max):-
température de fonctionnement:-
Type de montage:Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:LFPAK
paquet / caisse:SC-100, SOT-669

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