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Numéro d'article | SIHF30N60E-GE3 |
LIXINC Part # | SIHF30N60E-GE3 |
Fabricant | Vishay / Siliconix |
Catégorie | semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples |
Description | MOSFET N-CH 600V 29A TO220 |
Cycle de vie | Actif |
RoHS | Aucune information RoHS |
Modèles EDA/CAO | SIHF30N60E-GE3 Empreinte et symbole PCB |
Entrepôts | États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong |
Délai de livraison estimé | Jul 05 - Jul 09 2024(Choisissez l'expédition accélérée) |
garantie | Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]* |
Paiement | ![]() |
Expédition | ![]() |
Numéro d'article: | SIHF30N60E-GE3 |
Marque: | Vishay / Siliconix |
Cycle de vie: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Catégorie: | semi-conducteur discret |
Sous-catégorie: | transistors - fets, mosfets - simples |
Fabricant: | Vishay / Siliconix |
série: | E |
emballer: | Tube |
état de la pièce: | Active |
type fet: | N-Channel |
technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
tension drain-source (vdss): | 600 V |
courant - drain continu (id) @ 25°c: | 29A (Tc) |
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé): | 10V |
rds sur (max) @ id, vgs: | 125mOhm @ 15A, 10V |
vgs(th) (max) @ id: | 4V @ 250µA |
charge de grille (qg) (max) @ vgs: | 130 nC @ 10 V |
vg (max): | ±30V |
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds: | 2600 pF @ 100 V |
fonction fet: | - |
puissance dissipée (max): | 37W (Tc) |
température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage: | Through Hole |
paquet de dispositif de fournisseur: | - |
paquet / caisse: | TO-220-3 Full Pack |
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FDS7766S | SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET | 5850 Plus sur la commande |
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DMP3018SFK-7 | MOSFET P-CH 30V 10.2A 6UDFN | 997 Plus sur la commande |
En stock | 11651 - Plus sur la commande |
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Limite de devis | Sans limites |
Délai de mise en œuvre | Être confirmé |
Le minimum | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $6.41000 | $6.41 |
10 | $5.71984 | $57.1984 |
100 | $4.69027 | $469.027 |
500 | $3.79797 | $1898.985 |
1000 | $3.20311 | $3203.11 |
3000 | $3.04295 | $9128.85 |
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