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Numéro d'article | IPB120N06S4H1ATMA2 |
LIXINC Part # | IPB120N06S4H1ATMA2 |
Fabricant | IR (Infineon Technologies) |
Catégorie | semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples |
Description | MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3 |
Cycle de vie | Actif |
RoHS | Aucune information RoHS |
Modèles EDA/CAO | IPB120N06S4H1ATMA2 Empreinte et symbole PCB |
Entrepôts | États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong |
Délai de livraison estimé | Jul 07 - Jul 11 2024(Choisissez l'expédition accélérée) |
garantie | Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]* |
Paiement | |
Expédition |
Numéro d'article: | IPB120N06S4H1ATMA2 |
Marque: | IR (Infineon Technologies) |
Cycle de vie: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Catégorie: | semi-conducteur discret |
Sous-catégorie: | transistors - fets, mosfets - simples |
Fabricant: | IR (Infineon Technologies) |
série: | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
emballer: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
état de la pièce: | Active |
type fet: | N-Channel |
technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
tension drain-source (vdss): | 60 V |
courant - drain continu (id) @ 25°c: | 120A (Tc) |
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé): | 10V |
rds sur (max) @ id, vgs: | 2.4mOhm @ 100A, 10V |
vgs(th) (max) @ id: | 4V @ 200µA |
charge de grille (qg) (max) @ vgs: | 270 nC @ 10 V |
vg (max): | ±20V |
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds: | 21900 pF @ 25 V |
fonction fet: | - |
puissance dissipée (max): | 250W (Tc) |
température de fonctionnement: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage: | Surface Mount |
paquet de dispositif de fournisseur: | PG-TO263-3-2 |
paquet / caisse: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
DMP3018SFK-7 | MOSFET P-CH 30V 10.2A 6UDFN | 872 Plus sur la commande |
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STD11N60DM2 | MOSFET N-CH 650V 10A DPAK | 965 Plus sur la commande |
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SSM6J412TU,LF | MOSFET P-CH 20V 4A UF6 | 8345 Plus sur la commande |
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SQD10N30-330H_GE3 | MOSFET N-CH 300V 10A TO252AA | 1748 Plus sur la commande |
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NVMYS2D1N04CLTWG | MOSFET N-CH 40V 29A/132A LFPAK4 | 824 Plus sur la commande |
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STB16N65M5 | MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK | 913 Plus sur la commande |
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IXTY08N100P | MOSFET N-CH 1000V 800MA TO252 | 246257 Plus sur la commande |
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IPB65R660CFDATMA1 | MOSFET N-CH 650V 6A D2PAK | 829 Plus sur la commande |
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DMNH45M7SCT | MOSFET N-CH 40V 220A TO220AB | 4685 Plus sur la commande |
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AUIRLR120N | AUTOMOTIVE HEXFET N-CHANNEL | 7447 Plus sur la commande |
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IRF9Z20PBF | MOSFET P-CH 50V 9.7A TO220AB | 845 Plus sur la commande |
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FDD8586 | MOSFET N-CH 20V 35A TO252AA | 84547 Plus sur la commande |
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IRFS52N15DTRLP | MOSFET N-CH 150V 51A D2PAK | 896 Plus sur la commande |
En stock | 11728 - Plus sur la commande |
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Limite de devis | Sans limites |
Délai de mise en œuvre | Être confirmé |
Le minimum | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $3.78000 | $3.78 |
1000 | $1.65510 | $1655.1 |
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