IAUS200N08S5N023ATMA1

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Numéro d'article IAUS200N08S5N023ATMA1
LIXINC Part # IAUS200N08S5N023ATMA1
Fabricant IR (Infineon Technologies)
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - fets, mosfets - simples
Description MOSFET N-CH 80V 200A HSOG-8
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO IAUS200N08S5N023ATMA1 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 07 - Oct 11 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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IAUS200N08S5N023ATMA1 Caractéristiques

Numéro d'article:IAUS200N08S5N023ATMA1
Marque:IR (Infineon Technologies)
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:IR (Infineon Technologies)
série:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:Active
type fet:N-Channel
technologie:MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):80 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:200A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):6V, 10V
rds sur (max) @ id, vgs:2.3mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (max) @ id:3.8V @ 130µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:110 nC @ 10 V
vg (max):±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:7670 pF @ 40 V
fonction fet:-
puissance dissipée (max):200W (Tc)
température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:PG-HSOG-8-1
paquet / caisse:8-PowerSMD, Gull Wing

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