IRFHS8242TRPBF

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Numéro d'article IRFHS8242TRPBF
LIXINC Part # IRFHS8242TRPBF
Fabricant IR (Infineon Technologies)
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - fets, mosfets - simples
Description MOSFET N-CH 25V 9.9A/21A 6PQFN
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO IRFHS8242TRPBF Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 09 - Oct 13 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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IRFHS8242TRPBF Caractéristiques

Numéro d'article:IRFHS8242TRPBF
Marque:IR (Infineon Technologies)
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:IR (Infineon Technologies)
série:HEXFET®
emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:Active
type fet:N-Channel
technologie:MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):25 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:9.9A (Ta), 21A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):4.5V, 10V
rds sur (max) @ id, vgs:13mOhm @ 8.5A, 10V
vgs(th) (max) @ id:2.35V @ 25µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:10.4 nC @ 10 V
vg (max):±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:653 pF @ 10 V
fonction fet:-
puissance dissipée (max):2.1W (Ta)
température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:6-PQFN (2x2)
paquet / caisse:6-PowerVDFN

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