PHB66NQ03LT,118 | Nexperia PHB66NQ03LT,118 | PHB66NQ03LT,118 Inventory, Best Pricing

PHB66NQ03LT,118

Agrandir

Pour référence seulement

Numéro d'article	PHB66NQ03LT,118
LIXINC Part #	PHB66NQ03LT,118
Fabricant	Nexperia
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET N-CH 25V 66A D2PAK
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	PHB66NQ03LT,118 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Jul 05 - Jul 09 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

PHB66NQ03LT,118 Caractéristiques

Numéro d'article:	PHB66NQ03LT,118
Marque:	Nexperia
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	Nexperia
série:	TrenchMOS™
emballer:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Active
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	25 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	66A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	10V
rds sur (max) @ id, vgs:	10.5mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2V @ 1mA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	12 nC @ 5 V
vg (max):	±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	860 pF @ 25 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	93W (Tc)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:	D2PAK
paquet / caisse:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB