TK60P03M1,RQ(S | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation TK60P03M1,RQ(S

TK60P03M1,RQ(S

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Numéro d'article	TK60P03M1,RQ(S
LIXINC Part #	TK60P03M1,RQ(S
Fabricant	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET N-CH 30V 60A DPAK
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	TK60P03M1,RQ(S Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Jul 03 - Jul 07 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

TK60P03M1,RQ(S Caractéristiques

Numéro d'article:	TK60P03M1,RQ(S
Marque:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
série:	U-MOSVI-H
emballer:	Tape & Reel (TR)
état de la pièce:	Last Time Buy
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	30 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	60A (Ta)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	4.5V, 10V
rds sur (max) @ id, vgs:	6.4mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.3V @ 500µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	40 nC @ 10 V
vg (max):	±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	2700 pF @ 10 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	63W (Tc)
température de fonctionnement:	150°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:	DPAK
paquet / caisse:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63