SI1051X-T1-GE3 | Vishay / Siliconix SI1051X-T1-GE3 | SI1051X-T1-GE3 Inventory, Best Pricing

SI1051X-T1-GE3

Agrandir

Pour référence seulement

Numéro d'article	SI1051X-T1-GE3
LIXINC Part #	SI1051X-T1-GE3
Fabricant	Vishay / Siliconix
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET P-CH 8V 1.2A SC89-6
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	SI1051X-T1-GE3 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 22 - Sep 26 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

SI1051X-T1-GE3 Caractéristiques

Numéro d'article:	SI1051X-T1-GE3
Marque:	Vishay / Siliconix
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	Vishay / Siliconix
série:	TrenchFET®
emballer:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Obsolete
type fet:	P-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	8 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	1.2A (Ta)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	1.5V, 4.5V
rds sur (max) @ id, vgs:	122mOhm @ 1.2A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	1V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	9.45 nC @ 5 V
vg (max):	±5V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	560 pF @ 4 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	236mW (Ta)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:	SC-89-6
paquet / caisse:	SOT-563, SOT-666