HAT2197R-EL-E | Renesas Electronics America HAT2197R-EL-E | HAT2197R-EL-E Inventory, Best Pricing

HAT2197R-EL-E

Agrandir

Pour référence seulement

Numéro d'article	HAT2197R-EL-E
LIXINC Part #	HAT2197R-EL-E
Fabricant	Renesas Electronics America
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET N-CH 30V 16A 8SOP
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	HAT2197R-EL-E Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Jul 04 - Jul 08 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

HAT2197R-EL-E Caractéristiques

Numéro d'article:	HAT2197R-EL-E
Marque:	Renesas Electronics America
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	Renesas Electronics America
série:	-
emballer:	Tape & Reel (TR)
état de la pièce:	Active
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	30 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	16A (Ta)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	4.5V, 10V
rds sur (max) @ id, vgs:	6.7mOhm @ 8A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	-
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	18 nC @ 4.5 V
vg (max):	±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	2650 pF @ 10 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	2.5W (Ta)
température de fonctionnement:	150°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:	8-SOP
paquet / caisse:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)