RJK0601DPN-E0#T2 | Renesas Electronics America RJK0601DPN-E0#T2 | RJK0601DPN-E0#T2 Inventory, Best Pricing

RJK0601DPN-E0#T2

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Numéro d'article	RJK0601DPN-E0#T2
LIXINC Part #	RJK0601DPN-E0#T2
Fabricant	Renesas Electronics America
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET N-CH 60V 110A TO220AB
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	RJK0601DPN-E0#T2 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 26 - Sep 30 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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Expédition

RJK0601DPN-E0#T2 Caractéristiques

Numéro d'article:	RJK0601DPN-E0#T2
Marque:	Renesas Electronics America
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	Renesas Electronics America
série:	-
emballer:	Tube
état de la pièce:	Obsolete
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	60 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	110A (Ta)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	10V
rds sur (max) @ id, vgs:	3.1mOhm @ 55A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	-
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	141 nC @ 10 V
vg (max):	±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	10000 pF @ 10 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	200W (Tc)
température de fonctionnement:	150°C (TJ)
Type de montage:	Through Hole
paquet de dispositif de fournisseur:	TO-220AB
paquet / caisse:	TO-220-3