RJL5012DPE-00#J3 | Renesas Electronics America RJL5012DPE-00#J3 | RJL5012DPE-00#J3 Inventory, Best Pricing

RJL5012DPE-00#J3

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Numéro d'article	RJL5012DPE-00#J3
LIXINC Part #	RJL5012DPE-00#J3
Fabricant	Renesas Electronics America
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET N-CH 500V 12A 4LDPAK
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	RJL5012DPE-00#J3 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 08 - Oct 12 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

RJL5012DPE-00#J3 Caractéristiques

Numéro d'article:	RJL5012DPE-00#J3
Marque:	Renesas Electronics America
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	Renesas Electronics America
série:	-
emballer:	Tape & Reel (TR)
état de la pièce:	Active
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	500 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	12A (Ta)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	10V
rds sur (max) @ id, vgs:	700mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	-
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	27.8 nC @ 10 V
vg (max):	±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	1050 pF @ 25 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	100W (Tc)
température de fonctionnement:	150°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:	4-LDPAK
paquet / caisse:	SC-83