TPC8111(TE12L,Q,M) | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation TPC8111(TE12L,Q,M) | TPC8111(TE12L,Q,M) Inventory, Best Pricing

TPC8111(TE12L,Q,M)

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Numéro d'article	TPC8111(TE12L,Q,M)
LIXINC Part #	TPC8111(TE12L,Q,M)
Fabricant	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET P-CH 30V 11A 8SOP
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	TPC8111(TE12L,Q,M) Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 20 - Sep 24 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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TPC8111(TE12L,Q,M) Caractéristiques

Numéro d'article:	TPC8111(TE12L,Q,M)
Marque:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
série:	-
emballer:	Tape & Reel (TR)
état de la pièce:	Obsolete
type fet:	P-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	30 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	11A (Ta)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	4V, 10V
rds sur (max) @ id, vgs:	12mOhm @ 5.5A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2V @ 1mA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	107 nC @ 10 V
vg (max):	±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	5710 pF @ 10 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	1W (Ta)
température de fonctionnement:	150°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:	8-SOP (5.5x6.0)
paquet / caisse:	8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)