BSO613SPV

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Numéro d'article BSO613SPV
LIXINC Part # BSO613SPV
Fabricant IR (Infineon Technologies)
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - fets, mosfets - simples
Description MOSFET P-CH 60V 3.44A 8DSO
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO BSO613SPV Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Sep 22 - Sep 26 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

BSO613SPV Caractéristiques

Numéro d'article:BSO613SPV
Marque:IR (Infineon Technologies)
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:IR (Infineon Technologies)
série:SIPMOS®
emballer:Tape & Reel (TR)
état de la pièce:Obsolete
type fet:P-Channel
technologie:MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):60 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:3.44A (Ta)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):10V
rds sur (max) @ id, vgs:130mOhm @ 3.44A, 10V
vgs(th) (max) @ id:4V @ 1mA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:30 nC @ 10 V
vg (max):±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:875 pF @ 25 V
fonction fet:-
puissance dissipée (max):2.5W (Ta)
température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:PG-DSO-8
paquet / caisse:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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