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Numéro d'article | FS50R12W2T7B11BOMA1 |
LIXINC Part # | FS50R12W2T7B11BOMA1 |
Fabricant | IR (Infineon Technologies) |
Catégorie | semi-conducteur discret › transistors - igbt - modules |
Description | IGBT MOD 1200V 50A |
Cycle de vie | Actif |
RoHS | Aucune information RoHS |
Modèles EDA/CAO | FS50R12W2T7B11BOMA1 Empreinte et symbole PCB |
Entrepôts | États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong |
Délai de livraison estimé | Aug 14 - Aug 18 2024(Choisissez l'expédition accélérée) |
garantie | Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]* |
Paiement | ![]() |
Expédition | ![]() |
Numéro d'article: | FS50R12W2T7B11BOMA1 |
Marque: | IR (Infineon Technologies) |
Cycle de vie: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Catégorie: | semi-conducteur discret |
Sous-catégorie: | transistors - igbt - modules |
Fabricant: | IR (Infineon Technologies) |
série: | EasyPACK™ |
emballer: | Box |
état de la pièce: | Active |
type d'igbt: | Trench Field Stop |
configuration: | Full Bridge |
tension - claquage collecteur émetteur (max): | 1200 V |
courant - collecteur (ic) (max): | 50 A |
puissance - maximum: | 20 mW |
vce(on) (max) @ vge, ic: | 1.5V @ 15V, 50A (Typ) |
courant - coupure collecteur (max): | 7.9 µA |
capacité d'entrée (cies) @ vce: | 11.1 nF @ 25 V |
saisir: | Standard |
thermistance ntc: | No |
température de fonctionnement: | -40°C ~ 175°C |
Type de montage: | Chassis Mount |
paquet / caisse: | Module |
paquet de dispositif de fournisseur: | Module |
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En stock | 10836 - Plus sur la commande |
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Limite de devis | Sans limites |
Délai de mise en œuvre | Être confirmé |
Le minimum | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $57.37000 | $57.37 |
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