FZ30R07W1E3B31ABOMA1 | Rochester Electronics FZ30R07W1E3B31ABOMA1 | FZ30R07W1E3B31ABOMA1 Inventory, Best Pricing

FZ30R07W1E3B31ABOMA1

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Numéro d'article	FZ30R07W1E3B31ABOMA1
LIXINC Part #	FZ30R07W1E3B31ABOMA1
Fabricant	Rochester Electronics
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - igbt - modules
Description	IGBT MODULE
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	FZ30R07W1E3B31ABOMA1 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 07 - Oct 11 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

FZ30R07W1E3B31ABOMA1 Caractéristiques

Numéro d'article:	FZ30R07W1E3B31ABOMA1
Marque:	Rochester Electronics
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - igbt - modules
Fabricant:	Rochester Electronics
série:	-
emballer:	Tray
état de la pièce:	Obsolete
type d'igbt:	Trench Field Stop
configuration:	Single Switch
tension - claquage collecteur émetteur (max):	650 V
courant - collecteur (ic) (max):	45 A
puissance - maximum:	150 W
vce(on) (max) @ vge, ic:	2V @ 15V, 30A
courant - coupure collecteur (max):	50 µA
capacité d'entrée (cies) @ vce:	1.65 nF @ 25 V
saisir:	Standard
thermistance ntc:	Yes
température de fonctionnement:	-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Chassis Mount
paquet / caisse:	Module
paquet de dispositif de fournisseur:	Module