FZ1800R12HE4B9HOSA2 | IR (Infineon Technologies) FZ1800R12HE4B9HOSA2 | FZ1800R12HE4B9HOSA2 Inventory, Best Pricing

FZ1800R12HE4B9HOSA2

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Numéro d'article	FZ1800R12HE4B9HOSA2
LIXINC Part #	FZ1800R12HE4B9HOSA2
Fabricant	IR (Infineon Technologies)
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - igbt - modules
Description	IGBT MODULE 1200V 2735A
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	FZ1800R12HE4B9HOSA2 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Jul 03 - Jul 07 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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Expédition

FZ1800R12HE4B9HOSA2 Caractéristiques

Numéro d'article:	FZ1800R12HE4B9HOSA2
Marque:	IR (Infineon Technologies)
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - igbt - modules
Fabricant:	IR (Infineon Technologies)
série:	-
emballer:	Tray
état de la pièce:	Active
type d'igbt:	Trench Field Stop
configuration:	Single Switch
tension - claquage collecteur émetteur (max):	1200 V
courant - collecteur (ic) (max):	2735 A
puissance - maximum:	11000 W
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.1V @ 15V, 1800A
courant - coupure collecteur (max):	5 mA
capacité d'entrée (cies) @ vce:	110 nF @ 25 V
saisir:	Standard
thermistance ntc:	No
température de fonctionnement:	-40°C ~ 150°C
Type de montage:	Chassis Mount
paquet / caisse:	Module
paquet de dispositif de fournisseur:	Module