F3L200R12N2H3B47BPSA1

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Numéro d'article F3L200R12N2H3B47BPSA1
LIXINC Part # F3L200R12N2H3B47BPSA1
Fabricant IR (Infineon Technologies)
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - igbt - modules
Description IGBT MOD 1200V 200A 20MW ECONO
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO F3L200R12N2H3B47BPSA1 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Jul 05 - Jul 09 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

F3L200R12N2H3B47BPSA1 Caractéristiques

Numéro d'article:F3L200R12N2H3B47BPSA1
Marque:IR (Infineon Technologies)
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - igbt - modules
Fabricant:IR (Infineon Technologies)
série:EconoPACK™2
emballer:Tray
état de la pièce:Active
type d'igbt:-
configuration:Three Level Inverter
tension - claquage collecteur émetteur (max):1200 V
courant - collecteur (ic) (max):200 A
puissance - maximum:20 mW
vce(on) (max) @ vge, ic:2.15V @ 15V, 150A
courant - coupure collecteur (max):1 mA
capacité d'entrée (cies) @ vce:-
saisir:Standard
thermistance ntc:Yes
température de fonctionnement:-40°C ~ 150°C
Type de montage:Chassis Mount
paquet / caisse:Module
paquet de dispositif de fournisseur:AG-ECONO2-8

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