DF150R12W1H3FB11BOMA1 | IR (Infineon Technologies) DF150R12W1H3FB11BOMA1 | DF150R12W1H3FB11BOMA1 Inventory, Best Pricing

DF150R12W1H3FB11BOMA1

Agrandir

Pour référence seulement

Numéro d'article	DF150R12W1H3FB11BOMA1
LIXINC Part #	DF150R12W1H3FB11BOMA1
Fabricant	IR (Infineon Technologies)
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - igbt - modules
Description	IGBT MODULE LOW POWER EASY
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	DF150R12W1H3FB11BOMA1 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 07 - Oct 11 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

DF150R12W1H3FB11BOMA1 Caractéristiques

Numéro d'article:	DF150R12W1H3FB11BOMA1
Marque:	IR (Infineon Technologies)
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - igbt - modules
Fabricant:	IR (Infineon Technologies)
série:	-
emballer:	Tray
état de la pièce:	Active
type d'igbt:	-
configuration:	-
tension - claquage collecteur émetteur (max):	-
courant - collecteur (ic) (max):	-
puissance - maximum:	-
vce(on) (max) @ vge, ic:	-
courant - coupure collecteur (max):	-
capacité d'entrée (cies) @ vce:	-
saisir:	-
thermistance ntc:	-
température de fonctionnement:	-
Type de montage:	-
paquet / caisse:	-
paquet de dispositif de fournisseur:	-